责任编辑：紫月
更新时间：2022-02-25 招聘截止：见文内
一、简介
浙江大学杭州国际科创中心（以下简称科创中心）是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。中心聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，推动在微纳尺度下多学科交叉的颠覆性技术革命，支撑引领未来高端制造和未来产业发展，打造长三角一体化发展的重要创新极，成为具有世界声誉的国际化创新生态区和杰出人才汇聚地。
浙大杭州科创中心先进半导体研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制，着力打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。目前先进半导体研究院下设半导体材料研究室、功率器件研究室、封装测试研究室，具有从材料到系统集成的全链条研发能力，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。
本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室，该研究室在半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任是皮孝东教授。本研究组主要研究方向为碳化硅同质外延薄膜的制备及应用，以及碳化硅中的杂质与缺陷研究。根据研发需要，本研究组拟招聘有志于碳化硅薄膜外延及其中杂质与缺陷研究的研究人员。
二、招聘岗位：
1. 碳化硅基外延结构的制备及应用
岗位职责：
(1) 碳化硅同质外延及表征测试；
(2) 碳化硅外延薄膜的生长动力学研究；
(3) 碳化硅同质外延过程中的热场仿真及流场仿真；
(4) 基于碳化硅同质外延薄膜的电子、光学器件研究。
2.杂质与缺陷研究
岗位职责：
（1）碳化硅的掺杂物理；
（2）碳化硅中缺陷（如点缺陷、位错、层错、晶界）的产生及演变机理；
（3）碳化硅中杂质与缺陷的电子、光学性质；
（4）宽禁带半导体器件的热输运、电输运特性及器件仿真。
三、招聘岗位要求：
1.已获得或即将获得物理、材料、微电子、光电等相关专业的博士学位；
2.品学兼优，身心健康，具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
3.近三年内以第一作者或通讯作者发表2 篇以上高质量研究论文或专利。
四、待遇及保障条件
1. 原则上税前年薪不低于40万元人民币（含地方政府人才补贴）；
2. 参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴；
3. 提供一流的实验与科学研究条件；
4. 提供萧山区人才公寓或科创中心公寓；
5. 获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者，杭州市、萧山区财政给予给予1:1配套资助；
6. 在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；
7. 在站期间，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心技术研发岗位；
8. 博士后出站留科创中心工作，可享受杭州市萧山区政府相应人才政策（购房补贴40万+40万元）；满足要求者可以申请杭州市D类人才计划（两年购房补贴100万）
9. 入选者符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。
五、申请材料
申请材料包括：
1. 个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；
2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）；
六、联系方式
联系人：王老师电话：18258289962 邮箱：rong_wang@zju.edu.cn，邮件标题注明：应聘岗位+毕业学校+本人姓名